多晶矽（guī）還原爐內主要汙染物及清洗工藝

從2010年至今，光伏產（chǎn）業（yè）呈現出了（le）強勢的複（fù）蘇態勢，光伏市（shì）場（chǎng）需求旺盛。高純多晶矽是電子（zǐ）工業和太（tài）陽能光伏產業的基礎原料也是主要原料，在整個生產過程中，對產品質量的控製要求很高。目前（qián），生（shēng）產多晶矽主要采用改良西門子法，對還原爐的沉積（jī）環境的潔淨度要（yào）求特別關鍵，任何顆粒（lì）性雜（zá）質、油脂等物質餘留在（zài）爐內，都會對產品質（zhì）量（liàng）造成影響。
 
一、多晶矽還（hái）原爐內主要（yào）汙染物

根據多晶（jīng）矽生產原（yuán）理及實際生產情況分析，還原爐基盤及鍾罩表麵主要汙染（rǎn）物為無定（dìng）形矽粉，其次為多晶矽顆粒物、氯矽烷水解物及部分粉塵雜質。

1、無定形（xíng）矽

還原爐在一個周期運行後，基盤及（jí）鍾罩表（biǎo）麵均會產生一層土黃色（sè）粉末，主要成分為無定形矽粉。基（jī）盤冷卻水溫度偏高，在還原爐基盤尾氣出口也會產生無定形矽。這些無定形矽易形成一層膜附在（zài）基盤和鍾罩內表（biǎo）麵，甚至在電極和石英環表麵（miàn）。

2、氯矽烷水解物（wù）

多晶矽打開鍾罩（zhào）前要進行嚴格（gé）的氮氣置換（huàn），但因還（hái）原爐結構複雜，在進料口、尾氣（qì）管、窺視鏡等地（dì）方易形成置換（huàn）死角，置換後爐內仍會預留部分氯矽烷氣體。當爐筒提起後，氯矽烷殘留氣體與空氣接觸，會在基（jī）盤及爐筒表麵形成水解物。這些水解物一般附著在進（jìn）料管口及尾氣管口，其中矽酸鹽物質（zhì）為（wéi）白色膠狀沉澱，二氧化矽為白色粉末狀固體，氯化氫遇潮（cháo）形成鹽酸殘留在基盤表麵。

3、多晶矽顆粒（lì）物

還原爐停爐過程中，因停爐（lú）溫度控製不均，易造成矽（guī）棒破裂，產生多晶矽碎屑；收（shōu）割矽棒過程中也（yě）會有部分碎屑遺留；如果遇到（dào）倒（dǎo）棒（bàng），碎屑遺留會更多。

4、其他雜物

在收割（gē）矽棒（bàng）中，會帶入少量的粉塵、油脂等汙染物（wù）。油分（fèn）子對多晶矽的危害十分（fèn）嚴重可（kě）能（néng）造成（chéng）多晶（jīng）矽反應速度減慢，產量降低，甚至矽反應停止。

二、多晶矽還原爐（lú）清洗方法（fǎ）
 
現（xiàn）今各生產廠家（jiā）在開發新（xīn）技術、進行技術改造的同（tóng）時（shí），通過對設備的清洗來降低能耗和保證多（duō）晶矽的（de）產品質量。還（hái）原爐沉積多晶（jīng）矽是間歇操作，一（yī）個運行周期結束後需要打開鍾罩收割矽棒，然後進行基盤清理，再裝矽芯進行下一個周期的化學氣（qì）相沉積。因此，想提高設（shè）備運轉率、降低能耗，選擇方便、快捷、處理效（xiào）果（guǒ）好的（de）清理工藝尤為關鍵。

德高潔多晶矽還原爐鍾罩清（qīng）洗係統是（shì）以高壓清洗機為主機，以高壓水（shuǐ）射流為動力的（de）自驅動三維旋轉噴頭形成360°的網狀高壓水柱噴射表麵，從而完成（chéng）鍾罩（zhào）內部（bù）表（biǎo）麵的水力掃射，並采用專用清洗（xǐ）劑等為主要清洗液，先用純水（去離子水或叫（jiào）脫鹽水）漂洗，之後再采用高（gāo）純水衝洗，最終完成清洗過（guò）程。

德高潔（jié）多（duō）晶矽還原爐鍾罩清洗係統核心部件高壓泵采用進口耐酸堿、耐高溫、全不鏽鋼（gāng）的加壓泵，並利（lì）用多晶矽生產廠（chǎng）家的蒸汽餘熱將清洗介質加熱，從而改變原電加熱工藝。我公司自行研發設（shè）計的自驅動旋轉（zhuǎn）升降噴射（shè）機構可適應各規格的還原爐體（tǐ）。