多晶（jīng）矽生產設備清洗（xǐ）的意義

多晶矽按不同的用途可分為太陽能級多晶矽和電子級多晶（jīng）矽兩類。太陽能級多晶矽的純度一般（bān）在5～7N，主要雜質為Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 等，金屬雜質總含量≤0.2(太陽能三（sān）級品要求)。電子（zǐ）級（jí）多晶矽一般含Si＞99.9999%以上，超高純達到99.9999999%～99.999999999%，即9～11N，其導電性為10- 4～1010Ω·cm，碳濃度＜2×1016at·cm- 3。

油脂（zhī）、水分、氯離子殘留、金（jīn）屬氧（yǎng）化物、氯化物、灰塵及其他雜質，對多晶矽的純度影響極大。在多晶矽設（shè）備製造（zào）、安裝和多晶矽生產過程中清洗是十分重要的部分，要按多晶矽生產（chǎn）工藝，對不同潔淨度要求、不同材質的設備采用不同的清洗方法。'
 
多（duō）晶（jīng）矽設備（bèi）的清洗的不同階段：

1、設備製造階（jiē）段的清洗

金屬設備及管道、零件（jiàn）需要在除漆前將表麵的（de）氧化皮和鐵鏽除掉，設備內部的油脂、軋製鱗片（piàn）、鏽皮等也需要進行清洗（xǐ）。

2、多晶矽（guī）設備（bèi）安裝階段（duàn）的清潔

由於工藝管道（dào）輸送的（de）介質特性及產品（pǐn）純度要求（qiú），對管道的焊接質量及內部清（qīng）潔（jié）、吹掃（sǎo）試壓均有較高要求，對設備進場驗收、檢（jiǎn）驗（yàn）及安裝、內部處理也有較高要求，因此設備（bèi）製造結束後的清（qīng）洗處理至關重要。在裝置進行（háng）試生產前（qián）期，係統注入（rù）四氯化矽進行循環清洗約2～3個月，時間的長短取決於設備（bèi）前期清洗（xǐ）情況（kuàng）。

3、多晶矽設備生產期間的清洗

還原爐和氫（qīng）化爐是改良西門子法生（shēng）產（chǎn）多晶矽的核心設備，其運行好壞直接影響多晶矽質量及生產成本（běn）。多晶矽生產對還原（yuán）爐的沉積環境的潔淨度要求特別關鍵，任何顆（kē）粒性雜（zá）質（zhì）、油脂等物（wù）質餘留在爐內，都會對產品質量造成影響。北京德高潔清潔（jié）設備有限公司經（jīng）過研發設計並製造出了（le）多晶矽自動化（huà）還原爐鍾罩清洗係統，可（kě）以完全將多晶矽還原爐（lú）鍾罩清洗幹淨，滿足生產需求。

德高潔電子級多晶矽還原爐鍾罩清洗係統包括低壓熱水清洗動力裝（zhuāng）置、三維洗罐器、旋轉和升降執行機構、清洗工（gōng）作台、萬級淨化幹燥係統、循環過濾係統、控製裝置、微負壓係統、清洗工（gōng）作台、電氣控製係（xì）統等，係（xì）統實現了鍾罩的全（quán）自動清洗和烘幹操作。
 
電子級多晶（jīng）矽還原爐鍾罩自動清洗係統特點（diǎn）：以（yǐ）水力自驅動三維洗罐器為噴頭，形成360° 3D形式的網狀噴射來完成爐筒內部表麵的水力掃射。配以旋轉和升降的清（qīng）洗吹幹執行機（jī）構，準確定位。操（cāo）作簡單（dān）方便，係統控製（zhì），清洗、吹幹自行調整。不僅可以滿足對內壁和視孔鏡的清洗，同時也滿足了底部法蘭的清洗。

在整個還原爐的（de）清洗過程中，清洗、幹燥中筒內形成微負壓狀態，防止清洗外溢，同時將底座與筒體下法蘭處的汙染物等一並吹掃，通過排汙管排出，從而保證了整個過程不會對潔淨區造成汙染。

生（shēng）產多晶矽的工藝複雜，設備清洗（xǐ）是可以降低能耗保證多晶矽產品質量的。多晶矽生產企業對設備須從選型（xíng）、選材、清洗等方（fāng）麵進行合理、科學的管理，應（yīng）用（yòng）現代（dài）技術，進行全程清洗，以（yǐ）充分（fèn）發揮設備功效，為安全、高效生產（chǎn）創造條件。